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已有1224人咨询过该设备
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WBE-2BHAST-45两槽式HAST试验箱，又称双槽式HAST老化箱、双腔体HAST试验箱等。本试验箱采用上下两槽式设计，双槽可独立设置试验参数并行运行，可同时运行不同试验条件。用于电子元器件、半导体封装、汽车电子等产品的加速老化测试和失效评估。
威邦两槽式HAST试验箱，英文名（2-Zone HAST Chamber），又称双槽式HAST老化箱、双腔体HAST试验箱，两箱式BHAST试验等。本试验箱采用上下两槽式设计，双槽独立腔体搭配温湿压联动闭环控制，可同时运行不同试验条件。温度范围+100~+156℃，支持带电偏置测试，最大电压2000V，双槽可独立设置试验参数并行运行，同步开展不同规格产品测试。设备主要用途：1，用于评估非气密性封装IC器件(固态设备)在高温高湿高压条件下的运行可靠性。2，对芯片、半导体等其他元器件进行温湿度偏压(不偏压)高加速应力寿命老化试验。
应用场景
半导体与微电子
汽车电子
航空航天
医疗设备
消费电子
光伏组件
测试内容
IC 封装、功率器件、传感器加速老化可靠性验证，
ECU、控制模块、传感器、PCB、连接器高温高湿高压偏置
航空电子、卫星电子设备、军用关键组件可靠性验证，
植入式器械、诊断设备、监控仪器可靠性验证，
智能手机、可穿戴设备、 IoT 模组可靠性验证，
光伏组件、 EVA 材料、磁性材料可靠性验证，
典型失效
电化学迁移： 湿气+电场导致金属离子迁移， 形成树枝状结晶
腐蚀失效： 铝焊盘腐蚀、铜层开路、键合点断裂
封装缺陷： 塑封料分层、引线框架界面分离、裂纹扩展
绝缘劣化： 离子迁移导致绝缘电阻下降、漏电流增加
参数漂移： 敏感电路在湿热环境下的性能退化
| 产品名称
Product |
型号
Model |
单槽容积
Volume |
温湿度范围
Temp/Hum Range |
压力范围
Pressure Range |
单槽尺寸（直径φW*深D）
Inner Size |
外箱尺寸（宽W*深D*高H）
Chamber Size |
| WBE-2BHAST系列
两槽式HAST试验箱 |
WBE-2BHAST-45 | 90（L） | 温度：
A： +100~+143℃； B： +100~+156℃； 湿度： （60%~100%R.H不饱和HUM； 100%R.H饱和STD） |
A：0.2～3kg/cm²
(0.018～0.294 MPa) B：0.2～4kg/cm² (0.018～0.394 MPa) |
418*660（mm） | 1020*1050*1750（mm） |
| WBE-2PCT系列
双层PCT高压蒸煮老化箱 |
WBE-2PCT-40 | 69（L） | 温度：
A： +100~+143℃； 湿度： （100%R.H饱和STD） |
A：0.2～3kg/cm²
(0.018～0.294 MPa) |
400*550（mm） | 700*960*1850（mm） |
| 可非标定制其它规格参数 | ||||||
| 性能参数 | 温度范围 | 105.0~133.3℃（at 100%R.h）
110.0~140.0℃（at 85%R.h） 118.0~156.0℃（at 65%R.h） （特殊客户需求）; (其他温度可定制) |
| 温度波动度 | ≤±0.5℃ | |
| 温度均匀度 | ≤±2℃ | |
| 温度偏差 | ≤±2℃ | |
| 升温时间 | 常温～+ 143℃约75 min ；常温～+ 156℃约100 min | |
| 湿度范围 | 60%～100%R.h | |
| 湿度波动度 | ≤±2%R.h | |
| 湿度均匀度 | ≤±3%R.h | |
| 湿度偏差 | ≤±5%R.h | |
| 压力范围 | A：0.2～3kg/cm² (0.018～0.294 MPa)
B：0.2～4kg/cm² (0.018～0.394 MPa) （特殊客户需求） ;（其他压力可定制） |
|
| 压力偏差 | ≤±2Kpa | |
| 升压时间 | 常压～+ 3kg/cm²约50 min. 外部气源加压：约5 min
常压～+ 4kg/cm²约60 min. 外部气源加压：约5 min |
|
| HAST测试模式 | HUM（不饱和）测试模式；STD（饱和）测试模式 | |
| 偏压端子 | HAST:24个（≤30w，125V）*可加选 | |
| 加压方式 | 1.锅炉蒸汽加压；2外部气体加压（选配） | |
| 控制器 | 7寸彩色触摸屏控制 | |
| 箱体材质 | 内箱 | SUS #316不锈钢 |
| 外箱 | 冷轧钢板+双面静电喷塑工艺处理，WBE威邦标准蓝灰 | |
| 电源 | AC220V±10% 50HZ 1∮2W+E | |
| 型号说明 |  |
|
| 性能参数 | 温度范围 | 105.0~133.3℃（at 100%R.h）
110.0~140.0℃（at 85%R.h） 118.0~156.0℃（at 65%R.h） （特殊客户需求）; (其他温度可定制) |
| 温度波动度 | ≤±0.5℃ | |
| 温度均匀度 | ≤±2℃ | |
| 温度偏差 | ≤±2℃ | |
| 升温时间 | 常温～+ 143℃约75 min ；常温～+ 156℃约100 min | |
| 湿度范围 | 60%～100%R.h | |
| 湿度波动度 | ≤±2%R.h | |
| 湿度均匀度 | ≤±3%R.h | |
| 湿度偏差 | ≤±5%R.h | |
| 压力范围 | A：0.2～3kg/cm² (0.018～0.294 MPa)
B：0.2～4kg/cm² (0.018～0.394 MPa) （特殊客户需求） ;（其他压力可定制） |
|
| 压力偏差 | ≤±2Kpa | |
| 升压时间 | 常压～+ 3kg/cm²约50 min. 外部气源加压：约5 min
常压～+ 4kg/cm²约60 min. 外部气源加压：约5 min |
|
| HAST测试模式 | HUM（不饱和）测试模式；STD（饱和）测试模式 | |
| 偏压端子 | HAST:24个（≤30w，125V）*可加选 | |
| 加压方式 | 1.锅炉蒸汽加压；2外部气体加压（选配） | |
| 控制器 | 7寸彩色触摸屏控制 | |
| 箱体材质 | 内箱 | SUS #316不锈钢 |
| 外箱 | 冷轧钢板+双面静电喷塑工艺处理，WBE威邦标准蓝灰 | |
| 电源 | AC220V±10% 50HZ 1∮2W+E | |
| 型号说明 | |
|
| 性能参数 | 温度范围 | 105.0~133.3℃（at 100%R.h）
110.0~140.0℃（at 85%R.h） 118.0~156.0℃（at 65%R.h） （特殊客户需求）; (其他温度可定制) |
| 温度波动度 | ≤±0.5℃ | |
| 温度均匀度 | ≤±2℃ | |
| 温度偏差 | ≤±2℃ | |
| 升温时间 | 常温～+ 143℃约75 min ；常温～+ 156℃约100 min | |
| 湿度范围 | 60%～100%R.h | |
| 湿度波动度 | ≤±2%R.h | |
| 湿度均匀度 | ≤±3%R.h | |
| 湿度偏差 | ≤±5%R.h | |
| 压力范围 | A：0.2～3kg/cm² (0.018～0.294 MPa)
B：0.2～4kg/cm² (0.018～0.394 MPa) （特殊客户需求） ;（其他压力可定制） |
|
| 压力偏差 | ≤±2Kpa | |
| 升压时间 | 常压～+ 3kg/cm²约50 min. 外部气源加压：约5 min
常压～+ 4kg/cm²约60 min. 外部气源加压：约5 min |
|
| HAST测试模式 | HUM（不饱和）测试模式；STD（饱和）测试模式 | |
| 偏压端子 | HAST:24个（≤30w，125V）*可加选 | |
| 加压方式 | 1.锅炉蒸汽加压；2外部气体加压（选配） | |
| 控制器 | 7寸彩色触摸屏控制 | |
| 箱体材质 | 内箱 | SUS #316不锈钢 |
| 外箱 | 冷轧钢板+双面静电喷塑工艺处理，WBE威邦标准蓝灰 | |
| 电源 | AC220V±10% 50HZ 1∮2W+E | |
| 型号说明 | |
|
| 标准号 | 执行标准 | 测试条件 | |||
| 温度（℃） | 湿度（%R.h） | 电压（V） | 时间（h） | ||
| IEC60068-2-66
IEC60749 |
环境试验.第2-66部分：试验方法.试验Cx：稳态湿热 | 110±2
120±2 130±2 |
85±5
85±5 85±5 |
任意电压 | 96/192/408
48/96/192 24/48/96 |
| GB/T2423.40 | 电工电子产品环境试验第2部分：试验方法Cx：不饱和高压蒸汽的恒定湿热 | 110±2
120±2 130±2 |
85±5
85±5 85±5 |
1~1000V | 96/192/408
48/96/192 24/48/96 |
| GB/T4937.40 | 半导体器件机械和气候试验方法 第4部分：湿热、稳态、高加速应力试验（HAST） | 110±2
130±2 |
85±5
85±5 |
1~1000V | 96/264 |
| JIS C0096-2001 | 环境测试 第2部分：倾倒·湿热·稳态（非饱和加压蒸汽） | 110±2
120±2 130±2 |
85±5
85±5 85±5 |
任意电压 | 96/192/408
48/96/192 24/48/96 |
| JEITA（EIAJ）ED-4701/100A/103 | 半导体器件不饱和蒸汽压力测试 | 110±2
120±2 130±2 |
85±5
85±5 85±5 |
持续施加电压 | 24/48/96/168/500 |
| JPCA-ET08 | 印刷电路板不饱和蒸汽压力测试 | 110±2
120±2 130±2 |
85±5
85±5 85±5 |
持续施加电压 | 96/192/408
48/96/192 24/48/96 |
| AEC Q100-Rev-E
AEC Q101 |
汽车级半导体分立器件应力测试认证 | 110±2
130±2 |
85±5
85±5 |
持续施加电压/无偏压 | 264/96 |
| JESD22-A101C | 稳态温度，湿度/偏压，寿命试验（温湿度偏压寿命） | 85±2 | 85±5 | 持续/间断施加电压 | 24/168/1000 |
| JESD22-A102E | 高压蒸煮试验（加速抗湿性渗透） | 121±2 | 100±5 | 无偏压 | 24/48/96/168/240/336 |
| JESD22-A110E | HAST高加速温湿度应力试验 | 110±2
130±2 |
85±5
85±5 |
持续/间断施加电压 | 264/96 |
| JESD22-A118B | 温湿度无偏压高加速应力实验UHAST（无偏置电压未饱和高压蒸汽） | 110±2
130±2 |
85±5
85±5 |
无偏压 | 264/96 |
| 标准号 | 执行标准 | 测试条件 | |||
| 温度（℃） | 湿度（%R.h） | 电压（V） | 时间（h） | ||
| IEC60068-2-66
IEC60749 |
环境试验.第2-66部分：试验方法.试验Cx：稳态湿热 | 110±2
120±2 130±2 |
85±5
85±5 85±5 |
任意电压 | 96/192/408
48/96/192 24/48/96 |
| GB/T2423.40 | 电工电子产品环境试验第2部分：试验方法Cx：不饱和高压蒸汽的恒定湿热 | 110±2
120±2 130±2 |
85±5
85±5 85±5 |
1~1000V | 96/192/408
48/96/192 24/48/96 |
| GB/T4937.40 | 半导体器件机械和气候试验方法 第4部分：湿热、稳态、高加速应力试验（HAST） | 110±2
130±2 |
85±5
85±5 |
1~1000V | 96/264 |
| JIS C0096-2001 | 环境测试 第2部分：倾倒·湿热·稳态（非饱和加压蒸汽） | 110±2
120±2 130±2 |
85±5
85±5 85±5 |
任意电压 | 96/192/408
48/96/192 24/48/96 |
| JEITA（EIAJ）ED-4701/100A/103 | 半导体器件不饱和蒸汽压力测试 | 110±2
120±2 130±2 |
85±5
85±5 85±5 |
持续施加电压 | 24/48/96/168/500 |
| JPCA-ET08 | 印刷电路板不饱和蒸汽压力测试 | 110±2
120±2 130±2 |
85±5
85±5 85±5 |
持续施加电压 | 96/192/408
48/96/192 24/48/96 |
| AEC Q100-Rev-E
AEC Q101 |
汽车级半导体分立器件应力测试认证 | 110±2
130±2 |
85±5
85±5 |
持续施加电压/无偏压 | 264/96 |
| JESD22-A101C | 稳态温度，湿度/偏压，寿命试验（温湿度偏压寿命） | 85±2 | 85±5 | 持续/间断施加电压 | 24/168/1000 |
| JESD22-A102E | 高压蒸煮试验（加速抗湿性渗透） | 121±2 | 100±5 | 无偏压 | 24/48/96/168/240/336 |
| JESD22-A110E | HAST高加速温湿度应力试验 | 110±2
130±2 |
85±5
85±5 |
持续/间断施加电压 | 264/96 |
| JESD22-A118B | 温湿度无偏压高加速应力实验UHAST（无偏置电压未饱和高压蒸汽） | 110±2
130±2 |
85±5
85±5 |
无偏压 | 264/96 |
| 试验分类 | 温度 | 湿度 | 气压 | 偏置电压 | 实验时间 | 参考标准 |
| THB | 85℃ | 85%R.H | 49.1kpa | Vcc max | 1000h | JESD22-A101 |
| BHAST | 130℃ | 85%R.H | 230KPa | Vcc max | 96h | JESD22-A110 |
| 110℃ | 85%R.H | 122KPa | Vcc max | 264h | ||
| UHAST | 130℃ | 85%R.H | 230KPa | / | 96h | JESD22-A118 |
| 110℃ | 85%R.H | 122KPa | / | 264h |
| 试验分类 | 温度 | 湿度 | 气压 | 偏置电压 | 实验时间 | 参考标准 |
| THB | 85℃ | 85%R.H | 49.1kpa | Vcc max | 1000h | JESD22-A101 |
| BHAST | 130℃ | 85%R.H | 230KPa | Vcc max | 96h | JESD22-A110 |
| 110℃ | 85%R.H | 122KPa | Vcc max | 264h | ||
| UHAST | 130℃ | 85%R.H | 230KPa | / | 96h | JESD22-A118 |
| 110℃ | 85%R.H | 122KPa | / | 264h |
| 失效效应 | 影响 |
| 金属腐蚀 | 高温高湿环境加速水汽渗透入塑封壳内，导致金属元件和导线上产生氧化物和腐蚀，可能引发短路等现象。 |
| 绝缘材料老化 | 高温高湿环境使绝缘材料中的水分析入，加速绝缘材料老化，可能引起漏电等现象。 |
| 焊点开裂 | 装材料与芯片框架的热膨胀系数不同，在高温高湿环境下可能造成焊点开裂，引发接触不良等现象。 |
| 爆米花效应 | 由于封装体在高温下内部水分汽化而产生爆裂现象。 |
| 失效效应 | 影响 |
| 金属腐蚀 | 高温高湿环境加速水汽渗透入塑封壳内，导致金属元件和导线上产生氧化物和腐蚀，可能引发短路等现象。 |
| 绝缘材料老化 | 高温高湿环境使绝缘材料中的水分析入，加速绝缘材料老化，可能引起漏电等现象。 |
| 焊点开裂 | 装材料与芯片框架的热膨胀系数不同，在高温高湿环境下可能造成焊点开裂，引发接触不良等现象。 |
| 爆米花效应 | 由于封装体在高温下内部水分汽化而产生爆裂现象。 |
产品分类
